东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
发布时间：2026-06-30
缘辉旺盾网 消息，6 月 30 日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出采用东芝最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET——TPM1R408RH。该 MOSFET 面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。----------缘辉旺盾网量化工具温馨提示：数字货币投资有风险，入市需谨慎；本文章不作为投资依据，仅供参考----------交流群：https://t.me/dunwangyuanhuiwang
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该 MOSFET 面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
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