缘辉旺盾网 消息，6 月 22 日，伯恩斯坦分析师在一份报告中表示，常规 DRAM 价格在经历从 2025 年三季度到 2026 年二季度约 4.5 倍的上涨后，可能在 2027 年继续上行。因此，当前常规 DRAM 在单位比特平均售价上已与高带宽内存（HBM）相当，甚至可能更高。伯恩斯坦指出，考虑到更高的比特密度与良率，今年常规 DRAM 每晶圆产能的收入可能是 HBM 的两倍，并享有明显更高的利润率。该机构估算，HBM 价格需要再提升约三倍，才能在单位晶圆产能收入上追赶常规 DRAM。不过，存储芯片厂商可能不会如此激进地提高 HBM 价格，因为他们明白，HBM 成本过高可能不利于整个人工智能生态系统的发展，并最终反过来抑制存储需求。----------缘辉旺盾网量化工具温馨提示：数字货币投资有风险，入市需谨慎；本文章不作为投资依据，仅供参考----------交流群：https://t.me/dunwangyuanhuiwang